2020年1月3日上午，应物理科学与技术学院邀请，中国科学院半导体研究所骆军委研究员在卓越楼0217作了题为“片上集成硅基光源”的学术报告。报告主持人为物理科学与技术学院屈媛副教授。参加人有物理学院部分教师、研究生和本科生50多人。

报告会现场

光子器件与电子器件集成在同一硅片上的光电子集成技术可以有效解决微电子芯片所面临的诸多难题延续摩尔定律。骆军委研究员报告中介绍实现硅基发光是实现光电集成技术发展的关键，也是延续了半个世纪的世界难题，介绍了研究组致力于高度兼容CMOS工艺的硅基发光领域所做的系列理论和实验工作。报告后师生与骆老师就硅基发光实现的理论和实验困难进行了交流讨论。

骆军委研究员，中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任，2019年获得国家杰出青年基金资助。骆军委研究员长期从事半导体物理与器件物理研究，旨在通过解决硅基发光和半导体自旋轨道耦合效应太弱这两个核心科学问题，推动光电子集成芯片和半导体量子集成芯片走向应用，替代接近物理极限的半导体微电子集成技术。已经取得多项原创性研究成果，包括提出隐藏自旋极化效应理论并由此开辟隐藏物理(hidden physics) 领域，设计出多个高效硅基发光材料，揭示硅量子点发光机制等。至今已发表论文60余篇，其中最近5年以第一作者或通讯作者发表1篇nature physics、1篇nature nanotechnology、2篇PRL和1篇nature comms等。在APS、ACS 、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等重要国际会议作邀请报告或担任分会主席。