12月29日下午，应邀访问物理科学与技术学院的日本国立信息通信研究所郝国栋研究员在卓越楼0415作了题为“超宽禁带氮化物半导体材料的p型掺杂问题”的学术报告。报告由物理科学与技术学院屈媛副教授主持。学院部分教师、研究生和本科生同学50多人参加了会议。

报告会现场

深紫外发光二极管的研究是目前国际上氮化物领域的研究热点。郝国栋研究员在报告中介绍了短波长深紫外发光二极管在多个领域的应用前景，指出深紫外光电器件的波长变短和材料能级禁带宽度的增大，高效率p型掺杂变得极其困难，成为其效率和功率瓶颈，分析了p型掺杂带来的一系列问题和可能的解决办法。报告后物理科学与技术学院师生与郝国栋研究员就发光二极管的工艺和理论进行了交流讨论。

郝国栋研究员，2003年本科、2006年硕士毕业于内蒙古大学物理系；2009年博士毕业于中科院半导体研究所。2009-2010年在中科院苏州纳米所工作，2010-2015年在日本国立产业技术综合研究所任博士后研究员，2015年开始在日本国立信息通信研究所工作至今，先后任研究员、主任研究员。长期致力于氮化物材料的理论和应用研究。现在主要研究短波长深紫外发光二极管的效率和功率问题。迄今为止在美国应用物理快报，日本应用物理快报，美国光学快报等国际著名科研刊物上发表学术论文20余篇，在国际会议上做学术报告30多次。